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產品詳情
簡單介紹：
STPA1303C Edwards渦輪分子泵是為半導體應用而設計的磁懸浮渦輪分子泵。
STPA1303C Edwards渦輪分子泵是Edwards 的轉子可實現的性能和大的制程靈活性。STPA1303C 已經由半導體和磁介質行業的大型設備制造商投入使用，并得到了。
詳情介紹：
概述
Edwards STPA1303C 是為半導體應用而設計的渦輪分子泵。Edwards 的轉子可實現的性能和大的制程靈活性。STPA1303C 已經由半導體和磁介質行業的大型設備制造商投入使用，并得到了。
應用
金屬（鋁）、鎢和電介質（氧化物）以及多晶硅等離子刻蝕（氯化物、氟化物和溴化物）
電子回旋共振 (ECR) 刻蝕
薄膜沉積 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
濺射
離子注入源，射束線泵送端點站
MBE
擴散
光致抗蝕劑脫模
晶體/晶膜生長
晶片檢查
負載鎖真空腔
科學儀器：表面分析、質譜分析、電子顯微鏡
高能物理：射束線、加速器
放射線應用：融合系統、回旋
功能和優勢
的轉子
更高的氣體吞吐量
大的制程靈活性
無油
低振動
高度
免維護
可用于嚴苛制程
使用壽命延長
的控制器設計
自動調整
自行診斷功能
直流電機驅動
無電池運行
緊湊型設計
占地面積小
水冷卻
Edwards STPA1303C 是為半導體應用而設計的渦輪分子泵。Edwards 的轉子可實現的性能和大的制程靈活性。STPA1303C 已經由半導體和磁介質行業的大型設備制造商投入使用，并得到了。
應用
金屬（鋁）、鎢和電介質（氧化物）以及多晶硅等離子刻蝕（氯化物、氟化物和溴化物）
電子回旋共振 (ECR) 刻蝕
薄膜沉積 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
濺射
離子注入源，射束線泵送端點站
MBE
擴散
光致抗蝕劑脫模
晶體/晶膜生長
晶片檢查
負載鎖真空腔
科學儀器：表面分析、質譜分析、電子顯微鏡
高能物理：射束線、加速器
放射線應用：融合系統、回旋
功能和優勢
的轉子
更高的氣體吞吐量
大的制程靈活性
無油
低振動
高度
免維護
可用于嚴苛制程
使用壽命延長
的控制器設計
自動調整
自行診斷功能
直流電機驅動
無電池運行
緊湊型設計
占地面積小
半機架控制器
數據
| 入口法蘭 | ISO200F |
| KF40 | |
| 吹掃口 | KF10 |
| 水冷卻接頭 | PT1/4 |
| 抽速 |
|
| N2 | 1300 ls-1 |
| H2 | 800 ls-1 |
| 壓縮比 |
|
| N2 | >108 |
| H2 | 103 |
| 加熱時的極限壓力 | 10-7 Pa |
|
|
(10-9 Torr) |
| 大連續壓力 | 270 Pa |
|
|
(2 Torr) |
| 大氮氣吞吐量 | 1500 sccm |
| 額定速度 | 32500 rpm |
| 啟動時間 | 7 分鐘 |
| 高入口法蘭溫度 | 120 °C |
| 輸入電壓 | 200 至 240 (± 10) V 交流 |
| 功耗 | 0.85 kVA |
| 泵重量 | 39 kg |
| 控制器重量 | 9 kg |
水冷卻
